报告人：丁孙安研究员
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
报告题目：纳米材料研究与器件开发的新技术路线—Nano-X
时间：11月10日（星期二）上午10:00
地点：909楼B报告厅
摘要：
随着纳米器件尺度的进一步缩小，材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大，而目前的制造技术却很难解决大气环境（特别是氧、碳、水气）在工艺过程中对材料表面的不利影响。另一方面，纳米新材料的不断涌现，应用基础研究和器件工艺开发越来越重要，迫切需要将从材料到器件各个阶段的研究和开发紧密结合起来，创新研究手段，突破技术难题。
中科院苏州纳米所在建的纳米真空互联实验站（Nano-X）将开创一条新的18新利备用网站
和技术开发路线。它不但要建立一个全真空环境，最大限度排除大气的不利影响，而且把材料生长、器件工艺、测试分析的各种设备有机互联在一起，提供从基础研究到产业化的全链条支撑。这就可以更有效的探索材料、器件的本征性质，开发材料、新工艺、新器件，大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。试验站的建设方案将包括若干具有综合功能的材料生长、表征测试、及器件工艺开发的模块，相互关联，互为支撑，从而可以在同一系统内、真空或可控环境下进行：1）纳米材料的生长和各种性质的测量与分析；2）异质结的表面与界面特性分析；3）材料的位错和缺陷分析；4）表面态与能带结构分析；5）关键工艺机理研究；6）新工艺技术开发；7）纳米器件加工的精确控制等。
简介：
丁孙安于1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1994-1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所(Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft) 完成博士后工作，又先后在日本广岛大学 (日本科学技术振兴事业团研究员)和美国缅因大学从事18新利备用网站
工作。2000-2014年，在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。 2014年入选苏州工业园区金鸡湖双百人才（国际型学科领军人才）及２０１５年江苏省“双创”创新类人才。现任中科院苏州纳米所研究员、博士生导师，纳米真空互联实验站副总指挥。
丁孙安博士的主要研究领域为半导体薄膜材料与器件物理，固体新材料生长、材料特性及表征、表面与界面分析。他的主要研究成果包括：１）硅化物的表面界面研究荣获中国科学院自然科学成果奖；2）率先发表了不同结构GaN单晶薄膜的电子能带结构及GaN/GaAs异质结势垒的实验测量结果, 对后来的各种能带理论研究和新型发光器件研发起到了开创性的指导作用；3）首次用实验方法验证了纳米硅量子点的量子效应并获得其能带结构；4）深入研究金属氧化物单晶薄膜材料的表面与电学性质，并应用这种新材料开发出一种高灵敏度气体探测器上。在国际期刊(Appl.Phys.Lett.， Phys Review， JVST， Appl.Phys., Surf. Sci. 等)上发表论文三十多篇。
联络人：迟力峰 教授