少子寿命测量仪是应用于光伏和微电子领域、扫描测量硅片的多功能仪器,是非接触、无损的半导体电子特性测量系统。可测量几乎所有种类的半导体,包括在高掺杂基底上小于2 μm厚度的薄外延层,包括部分或完全工艺处理的硅片。可测量微电子级硅晶圆和光伏应用的多晶与单晶硅片。MDPmap提供少子寿命(稳态MDP和短脉冲μ-PCD)和扩散长度(光电导率)的扫描测量功能,具有很高的空间分辨率和很小的测量光斑尺寸。也可检测到硅片在晶体生长过程中导致的损伤、例如氧致堆错和氧痕、滑线,以及工艺过程中导致的损伤和重金属污染等。MDPmap通过微波谐振电路测量少子寿命和光电导率。可测量稳态或非平衡态的少子寿命。宽范围的激光激发功率(注入水平)保证了高灵敏度,可探测到以前未曾探测到的损伤。
仪器名称 | 少子寿命测量仪 |
厂家 | 德国MDPmap |
主要规格及 技术指标 | 寿命测量范围:0.1 μs - 100 ms 包括可调节偏置光 测量光斑直径0.5 mm缺省值,选项:软件控制可调光斑尺寸 重复精度:+/- 1% 寿命准确度:3 Sigma < 3% 双激发激光源,波长约980 nm,激发功率可控、超过4个数量级放大倍数 |
主要功能及 应用范围 | 可测量损伤: 重金属污染如铁、铬等 氧沉淀、氧层错、滑移线等 |
主要附件 | |
联系人:吴海华 | |
联系电话 :65881259 | |
E-mail:wuhh@suda.edu.cn |
责任编辑:吴海华