报告人：童祎 教授 （姑苏实验室）
报告题目：新型阻变材料、器件和芯片工艺技术
报告时间：2023年4月6日下午14:00
报告地点：909 B厅
报告摘要：
全球已经进入第四次工业革命，即智能化和智慧化革命，其中人类社会产生的数据量和数据处理需求将突破全球现有传统存储介质和算力的供应能力，急需研究和发现能够突破传统材料器件搭建的冯诺伊曼架构性能瓶颈的新材料、新器件、新架构以及与之匹配的工艺制造技术。
本报告将结合世界各国在本领域的支撑政策和工业界的技术发展情况，着重介绍在后摩尔时代和非冯架构时代，新型存储和计算系统对材料性能、器件性能和工艺技术的要求，并讨论如何借助不同材料的基因优势，发现其在未来信息爆炸、人工智能、存算一体架构等新兴领域的应用价值，为国防科技、航空航天、国民健康等国家重大需求赋能。
个人简介 ：
童祎博士在国外“卡脖子”先进电子信息材料、器件、芯片的研发和制造技术方面，有国内外连续20+年顶尖工业界和研究机构的研发经验。在美国芯片法案涉及的芯片先进制程技术方面，曾和台积电（业内第一）合作全球最先进的超越5纳米晶体管技术研发，负责突破金属接触的难点问题，并实现量产，年营收400亿元人民币，至今仍是台积电最大的营收来源。曾在格罗方德（业内第二）参与研发全球当时最先进的IBM联盟工业级的40至65纳米节点技术，完成整套研发、验证和量产工作。作为负责人完成全球第一批40纳米的逻辑晶圆的量产制造，实现单月2万片晶圆制造，年营收120亿元人民币。
熟悉摩尔和后摩尔技术进化规律，并持续为业内完成了一系列的全球最先进技术，比如全球第一批100纳米到3纳米的基于多类先进半导体材料的逻辑晶体管、存储器和新型开关器件。在“卡脖子”高端半导体仪器方面，曾和美国应用材料公司（国际垄断）合作研发全球最先进的超越3纳米技术节点所必须的低温离子注入核心技术，并已成功转入国际头部晶圆厂的量产中。
近9年，专注于后摩尔新型核心硬件和工艺技术研发，如类脑忆阻器、栅鳍型晶体管和高速射频开关技术，师从台积电5纳米技术部长杨育佳教授和世界忆阻器第一制造人Dmitri教授，将多年积累的先进逻辑CMOS和存储Memory器件的先进研发制造技术，用于多类新型器件的研发中。已完成多种材料体系计算存储和开关器件20余类，完成28 x 28的多种阵列工业级流片，以及信息处理任务的硬件实现。针对快速开关核心硬件、多模态目标识别、类脑功能模拟等多种应用，以及各类人工智能算法在硬件映射等难点问题，取得了一系列国际领先的研发成果，如100纳秒射频高速开关、快速图像识别、超低工作电压0.01 V、超高均一性2%、100倍高效多阻态存储、500倍高能效硬件神经元等。并持续和国内外头部单位进行多项新型材料器件的联合研发，负责和参与科技部、军科委、上市公司等研发项目。
完成国际授权发明专利2项，国内授权发明专利6项，30余项发明专利在公示期。发表本学科Nature Index及中科院分区表中SCI和EI学术论文100余篇（IEEE EDL、IEEE TED、APL、JAP、AM、AEM、Small、VLSI、IEDM等），其中一作和通讯作者81篇，受邀国际会议口头报告13次。
联系人：江林 教授