报告题目：氮化物宽禁带半导体材料及紫外光电子器件

报告人：郭炜  研究员，中国科学院宁波材料技术与工程研究所

报告时间：2024年1月29日，上午9：00

报告地点：激光楼116

报告摘要：

以AlGaN为核心材料的深紫外发光二极管（DUV-LED）是替代传统汞灯紫外光源的最佳选择，在非视距保密通讯、公共健康防护、灾害监测与飞行器预警等领域具有重大应用需求。但与目前成熟的InGaN基蓝光LED相比， AlGaN深紫外LED存在薄膜质量差，电子和空穴浓度不平衡、辐射复合效率低等瓶颈问题。本报告将简要介绍AlGaN宽禁带半导体材料的外延关键工艺，特别是依托宁波材料所紫外辅助MOCVD设备在点缺陷调控和应力控制方面的进展。在结构设计和器件开发方面，报告还将介绍电子减速层设计、激光后处理对于提升p型空穴浓度、改善紫外LED载流子平衡方面的作用机制。

报告人简介：

郭炜，研究员，博士生导师。长期从事第三代半导体（III族氮化物）材料与器件的研究，研究兴趣包括AlN、GaN材料外延及极性调控、GaN HEMT器件及紫外LED等。主持了国家自然科学基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域权威期刊上发表论文80余篇，申请发明专利40余项。报告人担任中科院青促会化材分会理事会委员，并获得了浙江省钱江人才、宁波市领军人才等荣誉。