无褶皱超平整石墨烯薄膜的化学气相沉积（CVD）制备是近年来的研究热点和难点。金属衬底上已发展无褶皱石墨烯的生长方法，然而在绝缘衬底上无转移生长超平整石墨烯尚未报道。基于此，18新利体育 能源学院孙靖宇教授课题组近期在Advanced Functional Materials上发表题为“Toward Direct Growth of Ultra-Flat Graphene”的研究论文。论文通过抑制SiOx颗粒、控制生长温度和设计限域空间，实现了超平整石墨烯在石英上的直接生长。北京大学博士研究生姜蓓、中科院半导体所博士研究生梁冬冬和江苏大学孙中体博士为第一作者；刘忠范院士、孙靖宇教授和魏同波研究员为通讯作者。

论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202200428

图1：超平整石墨烯在石英上的直接生长示意图